3d-NAND-intel

Micron ve Intel’in 3B NAND Cevabı

Samsung’un üç boyutlu NAND flash bellek alanındaki kontrolünü bozmak adına kısa süre önce 48 katmanlı üç boyutlu NAND üretimine başladıklarını açıklayan SanDisk ve Toshiba ikilisi seri üretime sene başında geçmeyi planlıyor. Diğer rakip olan Intel-Micron ise geriye düşmemek adına hemen bir diğer resmi duyuru gerçekleştirdi. İkiliden açıklamaya göre geliştirdikleri üç boyutlu NAND çözümü dünyanın en yüksek yoğunluklu flash belleklerine imkan verecek. Yeni çözümde veri katmanları rakip seçeneklere kıyasla üç kat daha sıkışık yani daha az alana daha fazla kapasite sığabilecek, maliyet ve güç tüketimi düşecek. Sadece SSD’ler için değil aynı zamanda cep telefonları ve akıllı saatler gibi mobil cihazlar için önemli olan bu gelişmeyle GB’lardan TB’larca depolama alanına geçiş mümkün olacak. Intel-Micron çözümü, SanDisk-Toshiba aksine 48 değil 32 katman içeriyor ama farklı seçenenkler var. Geleneksel MLC ile 32 GB, TLC ile 48 GB boyut elde edilebiliyor. Sonuç olarak 10 TB kapasiteli 2.5 inç SSD’ler üretilebilecek. Samsung’un cevap verecek biçimde yeni adımlar atması beklenebilir.

3d-NAND-intel

Yorum yazın